雜志簡介：《半導體技術》雜志經新聞出版總署批準，自1976年創刊，國內刊號為13-1109/TN，是一本綜合性較強的電子期刊。該刊是一份月刊，致力于發表電子領域的高質量原創研究成果、綜述及快報。主要欄目：趨勢與展望、半導體集成電路、半導體器件、半導體制備技術、先進封裝技術
《半導體技術》經新聞出版總署批準，自1976年創刊，國內刊號為13-1109/TN，本刊積極探索、勇于創新，欄目設置及內容節奏經過編排與改進，受到越來越多的讀者喜愛。
《半導體技術》以嚴謹風格，權威著述，在業內深孚眾望，享譽中外，對我國半導體事業的發展發揮了積極的作用。
《半導體技術》雜志學者發表主要的研究主題主要有以下內容：
（一）化學機械拋光；CMP；拋光液；去除速率；ULSI
（二）BICMOS；超大規模集成電路；雙極互補金屬氧化物半導體；功耗；低功耗
（三）微波單片集成電路；MMIC；砷化鎵；寬帶；單片微波集成電路
（四）肖特基二極管；氧化鎵；場效應晶體管；金剛石；襯底
（五）砷化鎵；GAAS；太陽電池；磷化銦；半絕緣
（六）砷化鎵；MMIC；微波單片集成電路；功率放大器；毫米波
（七）GAN；微波器件；SIC_MESFET；MMIC；碳化硅
（八）GAN；高電子遷移率晶體管；MEMS；HEMT；MMIC
（九）BICMOS；超大規模集成電路；功耗；開關電源；教學改革
（十）知識生產；半導體；集成電路；技術創新；工業工程
1、來稿要求論點明確、論據可靠、文字精煉、圖表清晰、行文通順、體例規范，內容注意保守國家機密。
2、文中如出現外國人名，第一次出現時需譯成漢語，用括號標注外文原名，以后出現時直接用漢譯人名。
3、“一”后加“、”號，“l”后加“．”，（一）、(l)不加任何標點，‘第一”、‘首先”后面均要加“，”號。
4、引用文獻作者不超過3人的全部著錄；超過則只列出前3人，后加“，等.”。
5、作者簡介包括以下內容：真實姓名、出生年份、性別、籍貫、職稱、專業學位和研究方向。
立即指數：立即指數 (Immediacy Index)是指用某一年中發表的文章在當年被引用次數除以同年發表文章的總數得到的指數；該指數用來評價哪些科技期刊發表了大量熱點文章，進而能夠衡量該期刊中發表的研究成果是否緊跟研究前沿的步伐。
引證文獻：又稱來源文獻，是指引用了某篇文章的文獻，是對本文研究工作的繼續、應用、發展或評價。這種引用關系表明了研究的去向，經過驗證，引證文獻數等于該文獻的被引次數。引證文獻是學術論著撰寫中不可或缺的組成部分，也是衡量學術著述影響大小的重要因素。
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